本标准规定了一种准确测量硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的方法,即X 射线光电子能谱法(XPS)。本标准适用于热氧化法在硅晶片表面制备的超薄氧化硅层厚度的准确测量;通常,本标准适用的氧化硅层厚度不大于6nm。
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