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椭圆偏振仪测量硅表面上二氧化硅薄层厚度的方法

标 准 号： GB/T 31225-2014
替代情况：
发布单位： 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会
起草单位： 上海交通大学、纳米技术及应用国家工程研究中心
发布日期： 2014-09-30
实施日期： 2015-04-15
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更新日期： 2017年12月08日
下载地址：点击这里 211.83KB
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内容摘要

本标准给出了使用连续变波长、变角度的光谱型椭圆偏振仪测量硅表面上二氧化硅薄层厚度的方法。
本标准适用于测试硅基底上厚度均匀、各向同性、10nm~1000nm 厚的二氧化硅薄层厚度,其他对测试波长处不透光的基底上单层介电薄膜样品厚度测量可以参考此方法。

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