本标准规定了利用高分辨 X射线衍射测试Ⅲ族氮化物外延片晶格常数的方法。
本标准适用于在氧化物衬底(Al2O3、ZnO 等)或半导体衬底(GaN、Si、GaAs、SiC等)上外延生长的氮化物(Ga,In,Al)N 单层或多层异质外延片晶格常数的测量。其他异质外延片晶格常数的测量也可参考本标准。