本标准规定了太阳能级硅片和硅料中氧、碳、硼和磷元素体含量的二次离子质谱（SIMS）检测方法。?本标准适用于检测各元素体含量不随深度变化、且不考虑补偿的太阳能级单晶或多晶硅片或硅料中氧、碳、硼和磷元素的体含量。各元素体含量的检测上限均为0.2%（即＜1×10??20? atoms/cm?3），检测下限分别为氧含量≥5×10??16? atoms/cm?3、碳含量≥1×10??16? atoms/cm?3、硼含量≥1×10??14? atoms/cm?3和磷含量≥2×10??14? atoms/cm?3。四种元素体含量的测定可使用配有铯一次离子源的SIMS仪器一次完成。