本文件规定了砷化镓单晶的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件及订货单内容。
本文件适用于液封直拉法(LEC)、垂直梯度凝固法(VGF)、垂直布里奇曼法(VB)生长的，用于制备光电子、微电子等器件的砷化镓单晶，不适用于水平布里奇曼法(HB)生长的砷化镓单晶。