本文件描述了采用低温傅立叶变换红外光谱法测定硅单晶中代位碳、间隙氧含量的方法。
本文件适用于室温电阻率大于1 Ω·cm的n型硅单晶和室温电阻率大于3 Ω·cm的p型硅单晶中代位碳、间隙氧含量的测定，测定范围(以原子数计)为2.5×1014 cm-3~1.5×1017 cm-3。