半导体晶片近边缘几何形态评价 第2部分：边缘卷曲法（ROA）

本文件描述了用边缘卷曲法(ROA)评价半导体晶片近边缘几何形态的方法。
本文件适用于直径300 mm 硅抛光片、硅外延片、绝缘体上硅(SOI片)及其他带有表面层的圆形晶片,也适用于其他半导体材料圆形晶片近边缘几何形态的评价。
注:直径200 mm 硅片参考本文件。