安全工作区(SOA)是MOSFET器件设计中的一个关键参数。传统CMOS在衬底电流．栅极电压曲线上只出现一个衬底电流峰值，该峰值可直接反映出热载流子注入(HCI)效应最强的位置，因此可以容易地给出其SOA；而对于横向双扩散MOSFET(LDMOS)器件，由于Kirk效应的发生，造成其衬底电流峰值不明显。此时的衬底电流已经不能再完全反映HCI效应的强弱。单纯使用Hu模式或衬底电流模式对SOA测试和分析都不合适。针对发生严重 rk效应的LDMOS，此处提出一套更合理的HCI SOA测试方法，该方法既能节省测试时间，同时准确性又高。