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本文件规定了知识交换协议总体框架、知识描述规则、基于文件的知识交换、基于消息的知识交换等。 本文件适用于知识图谱相关系统的设计、开发、测试和部署等。

本文件界定了交流可控自恢复消能装置(以下简称消能装置)的术语和定义，规定了消能装置的运行条件,性能,关键部件,试验,标志、包装、运输、贮存和安装等要求。 本文件适用于±100 kV及以上直流输电系统交流侧用消能装置。

本文件规定了新能源汽车售后服务的基本要求、服务要求、服务跟踪处理、服务评价与改进。   本文件适用于纯电动汽车、插电式混合动力电动汽车等新能源汽车的售后服务，其他类型新能源汽车售后服务可参照使用。

本文件规定了宽度为375mm~500mm 模数化电气机柜(以下简称机柜)的尺寸、验证样品、试验条件和次序、要求、试验及合格判定、检验规则。

本文件给出了二手电子产品可用程度的分级指标、规定了分级要求，描述了分级方法。本文件适用于开展二手电子产品回收、维修、翻新、再使用及循环利用的各相关方。

本文件确立了物联网群智感知的技术架构,规定了物联网群智感知技术架构中智能体构建、智能体管理、数据处理、群智协同推理的要求。

本文件描述了激光材料中激活离子浓度的测试方法,规定了测试条件、试样制备、测试步骤和数据处理过程,给出了测试报告格式等内容。

本文件确立了照明产品碳足迹量化的原则，规定了量化目的和流程、量化范围、数据要求和报告的要求，描述了相应的计算方法。 本文件适用于照明产品碳足迹和部分碳足迹的温室气体排放量化。

 本文件描述了数据安全风险评估的基本概念、要素关系、分析原理，给出了数据安全风险评估的实施流程、评估内容、分析评价方法等。 本文件适用于指导数据处理者、第三方评估机构开展数据安全风险评估，也可供有关主管监管部门实施数据安全检查评估时参考。

本文件规定了配电系统内电量测量和监视装置(PMD)对各种电气量的测量和监视的要求，并可选择测量其他的外部信号。这些要求还规定了额定电压交流1 000 V或直流1 500 V及以下单相和三相交流或直流配电系统中PMD的性能。

本文件根据GB/T 23331-2020的系统方法，为建立、实施、保持和改进能源管理体系提供了实施指南和示例。本文件适用于任何组织。 本文件未提供关于如何建立一体化管理体系的指南。 

本文件界定了电能替代项目温室气体减排量评估的术语和定义，规定了电能替代项目温室气体减排量评估内容（包括项目边界及排放源识别、项目及基准线情景确定、减排量计算、监测及数据质量管理、减排量评估报告编制)及温室气体排放因子与排放量计算等。 本文件适用于终端能源消费…

本文件描述了平板显示器基板玻璃密度、应力、杨氏模量、剪切模量、泊松比和维氏硬度的测试方法。 本文件适用于平板显示器基板玻璃的设计、制造和测试。

本文件描述了装备数字孪生系统的组成，规定了系统的技术要求以及建设要求。本文件适用于装备数字孪生系统的开发、使用、维护。

本文件规定了生成式人工智能预训练和优化训练数据及其处理活动的安全要求，描述了相应的评价方法。

本文件规定了生成式人工智能训练的数据标注平台或工具安全要求、数据标注规则安全要求、数据标注人员要求、数据标注核验要求，描述了数据标注安全评价方法。 本文件适用于生成式人工智能数据标注组织方开展训练数据标注活动，并为生成式人工智能数据需求方对于数据标注进行检查…

本文件规定了海洋船舶各危险区域划分及其防爆电气设备的选用和特殊要求。 本文件适用于A、B、C、D类液货船、运载机动车辆的船舶和运煤船。散货/矿砂船、集装箱船、内河船舶参照使用。

本文件规定了电力系统同步相量测量装置的检测条件、检测项目、检测方法、检验规则、检测结果判定和检测周期。

本文件描述了摩擦纳米发电机电性能测试方法，包括原理、测试环境、试剂或材料、仪器设备、待测样品、测试步骤、数据处理、不确定度来源和测试报告。 本文件适用于摩擦纳米发电机的电性能测试。

本文件界定了直流可控自恢复消能装置（以下简称消能装置）的术语和定义，规定了消能装置的运行条件,性能,关键部件,试验,标志、包装、运输、贮存和安装等要求。   本文件适用于±100 kV及以上高压直流换流站直流侧用消能装置。

为了提高广播传音电缆线路（以下简称线路）工程质量，降低线路工程造价，便利线路的维护，特制定本规范。

本标准规定了CS1型硅沟道结型场效应晶体管（以下简称器件）的详细要求该种器件按GJB33-85《半导体分立器件总规范》的规定提供产品保证的三个等级（GP、GT和GCT级）。

本规范规定了CS4型硅N沟道蜡型场效应晶体e(以下简称器件)的详细要求，该种器件按GJB33-8585《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级）。级).

本规范规定了CS10型硅N沟道结型场效应晶体管（以下简称器件)的详细要求，该种器件按GJB33-85《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级（GP、GT和GCT级)。

本规范规定了3CGl10B、3CGl1oc型ＰNP硅剁淘功率晶体管槛吗卞简称器件)的详细要求。每种器件均按GJB33-85《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。

本规范规定了3DG130型NPN硅高频小功率晶体管(以下简称器件)的详细要求。该种器件按GJB33-85〈半导体分立器件总规范〉的规定，提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。

本规范规定了3DG130型NPN硅高频小功率晶体管(以下简称器件)的详细要求。该种器件按GJB33-85《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。

本规范规定了FM22型盘封管的详细要求。本规范适用于FＭ22型盘封管FM22型盘封管应用于箭载、弹载、单站应答机中，作脉冲振荡器，及本机振荡用。在双站应答机中作本机振荡用。

本规范规定了FＭ24型盘封管的详细要求。本规范适用于FＭ24型盘封管FＭ24型盘封管主要用于数传、导航设备的L波段宽带脉冲功率放大器。

本规范规定了FUl01F型发射管的详细要求。本规范适用于FU1OlF型发射管。FUl0lF型发射管主要用于1l0ＭHz以下的单边带线性放大、AB1类音频放大及射频功率放大，也可用作一般的振荡、放大和调制。