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本规范规定了3DK10l型NPN硅小功率开关晶体管(以下简称器件)的详细要求。每种器件按ＧＪB33《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。

本规范规定T3DKl02型NPN硅小功率开关晶体管（以下简称器件)的详细要求。每种器件按GＪB33《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。

本规范规定了3DK1O3型NPN硅小功率开关品障管(以下简称器件)的详细要求。每种器件按GJB33《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级).

本规范规定了3Dk104型NPＮ硅小功率开关晶体管(以下简称器件)的详细要求;每种器件按ＧＪB33《半导体分立器件息规范》的规定，提供产品保证的三企等级(GP、GT和GCT级).

本规范规定了3DK105型NPN硅小功率开关晶体管(以下简称器件）的详细要求。每种器件按GJB33《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。

本规范规定了３DG111型NPN硅高频小功率晶体管(以下简称器件)的详细要求。该种器件按GＪB33《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级).

本规范规定了3DG120型NPN硅高频小功率晶体管(以下简称器件)的详细要求.该种器件按GJB33《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级).

本规范规定了CS146型硅Ｎ沟道结型场效应晶体管(以下简称器件)的详细要求，该种器件按GJB33《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。

本规范规定了3DG210型NPN硅超高频低噪声差对晶体管（以下简称器件）的详细要求，该种器件按ＧＪB33《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级).

本规范规定了电源设备用的ＱL72型硅三相桥式整流器(以下筒称器件)的详细要求.该种器件按GD33《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的两个等级(GP和GT级).

本规范规定了2CL3型硅高压整流堆(以下简称器件)的详细要求.该种器件按ＧＪＢ３３《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的两个等级（GP和GT级)。

本规范规定了2CZ30型硅整流二极管（以下简称器件）的详细要求.该种看件按GJB33《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证三个等级(GP、GT和GCT囊).

本规范规定了2DWl4~l8型低噪声低硅电压基准二极管（以下简称器件）的详细要求，该种器件按GJB33《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级(GP、GT和ＧｃＴ）.

本规范规定了2CK76型硅开关二极管(以下简称器件)的详细要求，该种器件按GＪB33《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级).

本规范规定了2CK105型硅开关二极管(以下简称器件)的详细要求，该种器件按GＪB33《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级).

本规范规定了2CK4l48型硅开关二极管(以下简称器件)的详细要求，该种器件按GJB33《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级（GP、GT和GCT级）。

本规范规定了陶瓷封装的GH24、GH2s和GH26型半导体光耦合器详细要求。该种器件按GJB3《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三企等级(GP、ＧＴ和GCT级).

本规范规定了半导体集成电路Jμ8254型可编程定时计数器（以下简称器件）的详细要求。 本规范适用于器件的研制、生产和采购。

本规范规定了半导体集成电路Jμ8259A型可编程中断控制器（以下简称器件）的详细要求。 本规范适用于器件的研制、生产和采购。

本规范规定了半导体集成电路Jμ82288A型可编程外设接口（以下简称器件）的详细要求。 本规范适用于器件的研制、生产和采购。

本标准提供了微电路应用的热设计要求、方法和热性能评价。本标准适用于微电路应用的热设计。

本规范规定了军用液晶显示器件（以下简称显示器件）的一般要求，具体要求和特性在相应军用详细规范(以下简称详细规范)中规定。

本标准规定了军用金属氧化物半导体气敏件的环境试验方法、电负荷试验方法和其它试验方法。本标准没有规定试验中的检测项目、检测方法及其技木细节，检测时可按相应技木规范的规定进行。本标准适用于军事装备用金属氧化物半导体气敏件（以下简称件或试样)的环境试验，其它类型的…

本规范规定了RMK20l2型有可靠性指标的膜式片状固定电阻器的详细要求。本规范适用于RＭK20l2型有可靠性指标的膜式片状固定电阻器，该型号的电阻器对特性N、Ｍ、L和J，阻值允许偏差+0.l％、+0.5％、+l％、+2％、+5％和+10％，以及除引出端之外的全部引出端材料均适用。

木详细规范规定了有可靠性指标的CBBK24型(非金属壳)双面金属化聚丙烯膜介质直流固定电容器的结构、外形尺寸、额定值、要求和质量保证规定。本详细规范适用于有可靠性指标的采用双面铝金属化层为电极，聚丙烯膜介质，封装在阻燃塑料外壳内的固定电容器，此电容器能承受较大电流。…

本详细规范规定了有可靠性指标的CBBK111型(非金属壳)聚丙烯膜介质直流固定电容器的结构、外形尺寸、额定值、要求和质量保证规定。本详细规范适用于有可靠性指标的以铝箔为电极，聚丙烯膜为介质，封装在阻燃塑料外壳内的固定电容器，主要用于直流或脉动电路中。

本详细规范规定了有可靠性指标的CLK233型金属化聚酯膜介质直流固定电容器的结构、外形尺寸、额定值、要求和质量保证规定。本详细规范适用于有可靠性指标的以金属化层为电极，以聚酯膜为介质，阻燃塑料外壳及阻燃树脂封装的固定电容器，主要用于直流或脉动电路中。

本规范规定了CT8l08型高压瓷介固定电窖器的结构、尺寸、主要参数和要求。本规范适用于作旁路、幅合或对损耗和电容量稳定性要求不高的电路中使用的瓷介电容器。

本规范规定了CT8l12型高压瓷介固定电窖器的结构、尺寸、主要参数和要求。本规范适用于作旁路、耦合或对损耗和电容量稳定性要求不高的电路中使用的瓷介电容器.

本规范规定了CT105型瓷介固定电容器的结构、尺寸、主要参数和要求。本规范适用于旁路、耦合或对损耗和电容器稳定性要求不高的电路中使用的瓷介电容器。