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本标准规定了对流层散射通信设备的电气性能测量方法。本标准用于各种对流层散射通信设备电气性能测量。如图１所示，本标准所指对流层散射通信设备包含辅助复接器和辅助分接器到天线馈线接口之间的设备。对于特殊要求及本标准未作规定的测量方法，可在产品技木条件中另行规定。

本标准规定了不带有完整天线的短波单边带电台的电性能测量方法。本标准适用于接收、发射话频和其它型式信号，其音频带宽不超过10kHz的全载波(H3E)、减幅载波(R3E)和抑制载波（Ｊ３E)的不带有完整天线的短波单边单带(包括独立边带)电台。本标准仅提供电性能的测量方法及其有关条…

本标准规定了短波单边带通信设备的安全要求。本标准适用于短波单边带通信设备以及设备正常工作所必须的任何辅助设备，其中包括组合单和匹配网络。本标准的使用不只限于定型试验，还可用于设备安装后的验收试验、设备部件变更后的试验以及为保证设备在整个寿命期间的持续安全以适…

本范围规定了军用电传设备的要求、质量保证规定、交货准备等。

电子工业部第十四研究所

本标准规定了被银陶瓷零件的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。

本规范规定了盖革—弥勒（G—M）计数管的质量评定程序，给出了电性能和核幅射探测性能、环境和寿命等要求及测试方法。

本标准规定了电容器用有机薄膜电性能试验方法中的试样要求、试验条件、厚度测定和试验记录的一般规则。

本标准规定了电容器用有机薄膜体积电阻率的试验方法。

本标准规定了电容器用有机薄膜介质损耗角正切值和介电常数的试验方法

本标准规定了电容器用有机薄膜击穿强度的试验方法。

本规程适用于输出直流电压标称值为10 V、1 018 V、1 V、100 mV固态电压标准的首次检定、后续检定和使用中检查。

本规范规定了ODK-1型抗噪声送话器详细要求。本规范适用于陆军和空军用ODK-1型抗噪声送话器（以下简称送话器）。

本规范规定了军用气导动圈式和电磁式送话器的投木要求和质量保证规定。本规范适用于陆、海、空三军有线、无线通信用动圈式和电磁式送话器(以下简称送话器）。

本规范规定了便携式非金属地雷探测器的基本要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输相贮霉筹要求。本规范适用于便携式非盒属地雷探测器(以下简称探雷嚣)。

本标准规定了MFl1型负温度系数热敏电阻器的详细要求，阻值比为A和B，引出端仅用S类型，电阻温度特性误差等级为F、G、J和K，温度范围为-５５一ｌ２５℃。

本标准规定了地面固定式光纤通信设备机械安装的基本技术要求。本标准适用于地面固定式光纤通信设备的机械安装。

本标准规定了地面固定式光纤通信设备电气安装的基本技术要求。本标准适用于地面固定式光纤通信设备的电气安装。

本规范规定了JPK-2型真空继电器的详细要求，其全部要求由本规范和GJB1434-92《真空继电器总规范》的有效版本组成。本规范适用于触点最大额定负载50A、12kV(峰值)，一组转换触点真空继电器.

本标准规定了波导开关的一般技木要求、质量保证规定以及包装、贮存和运输的要求。本标准适用于对不同射频通路进行转换之用的手动或机电控制的波导开关.

ＫＢ－８４型失效保护的单刀双掷机电控制波导开关详细规范 

本标准规定了军用电子设备（以下简称设备）结构设计与制造的总要求。本标准还规定了设备的零件、器材和制造工艺及应用程序等要求。本标准适用于军用电子设备及相应的配套设备和备件。对于具体设备的特殊要求，应在具体设备的标准中规定。

本规范规定了3DK10l型NPN硅小功率开关晶体管(以下简称器件)的详细要求。每种器件按ＧＪB33《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。

本规范规定T3DKl02型NPN硅小功率开关晶体管（以下简称器件)的详细要求。每种器件按GＪB33《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。

本规范规定了3DK1O3型NPN硅小功率开关品障管(以下简称器件)的详细要求。每种器件按GJB33《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级).

本规范规定了3Dk104型NPＮ硅小功率开关晶体管(以下简称器件)的详细要求;每种器件按ＧＪB33《半导体分立器件息规范》的规定，提供产品保证的三企等级(GP、GT和GCT级).

本规范规定了3DK105型NPN硅小功率开关晶体管(以下简称器件）的详细要求。每种器件按GJB33《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。

本规范规定了３DG111型NPN硅高频小功率晶体管(以下简称器件)的详细要求。该种器件按GＪB33《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级).

本规范规定了3DG120型NPN硅高频小功率晶体管(以下简称器件)的详细要求.该种器件按GJB33《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级).

本规范规定了CS146型硅Ｎ沟道结型场效应晶体管(以下简称器件)的详细要求，该种器件按GJB33《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。