安全管理网

本标准适用于组件失效率试验。不同组件的失效率要求应在产品标准中规定。

本规范规定了TEＳ1—0l2l2TT温差电致冷组件(以下简称组件)的技木要求、检验方法、标志、包装、运输及贮存。本规范适用于军用组件TEＳ1—l2l2TT。

本规范规定了军用徽晶玻璃基片的分类、型号命名、规格、技木要求、测试方法、检验细则、标志、包装、运输和贮存及基片微晶玻璃的理化性能与测试方法。本规范适用于军用薄膜集成电路用微晶玻璃基片。

本规范规定了电子器件用钨丝的要求，质量保证规定，交货准备。

本规范规定了电子器件用钼杆、钼丝、钼片的要求、质量保证规定、交货准备。本规范适用于制造电子管及特种灯等用途的钼杆、钼丝、钼片：也适用于制造电光源及其他器件的钼杆、钼丝、钼片。

本规范规定了军用覆铂钼丝的要求、质量保证规定、检验方法及交货准备。本规范适用于覆铂铝丝材料。

本规范规定了银电镀层的各项撅求。本规范适用于电子和电气等产品用的金属和非金属制件上银电镀层。

本标准规定了用x射线荧光光谱法测量银和银合金镀覆层厚度的方法。它是’一种非接触式的无损测量方法。本标准适用于银和银合金镀覆层厚度的测量，也适用于常用金属镀覆层厚度的测量。该方法还可同时测量出表面镀覆层和中间层的厚度。

本标准规定了银和银合金电镀层的残留盐分测定方法。本标准适用于银和银合金电镀层的金属和非金属试件。

本标准规定了军用雷达双色指示管用Yl9荧光粉的技木要求和检测方法.本标准适用于检测制作军用雷达双色指示管用Yl9荧光粉。

本规范规定了电容器用铝金属化聚酯薄膜的分类、术语和有留边的电容器用铝金属化聚酯薄膜的技木要求及检测方法。本规范适用于军用电容器用铝金属化聚酿薄膜，其他电容器用铝金属函聚酿薄膜也可参考使用.

本规范规定了电容器用铝金属化聚丙烯薄膜的分类，术玉器和有留边的电容器用铝金属化聚丙烯薄膜的技木要求及检测方法。本规范适用于军用电容器用铝金属化聚丙烯薄膜，其他电这容器用铝金属化聚丙烯薄膜也可参考使用。

本规范规定了电子器件用镍带的要求， 质量保证规定和交货准备等。本规范适用于电子器件用镍带。

本规范规定了电子器件用镍棒、镍丝的要求，质量保证规定和交货准备。本规范适用于电子器件用镍棒、镍丝。

本标准规定了设计生产的设备在电源时序和控制方面能兼容的电源控制接口，其中包括电源控制接n线和可选的紧急断电特俭的定义和描述.本标准适用于军用计算机与外围设备.

本标准规定了信息技木设备静电放电敏感度极限值和试验方法。本标准适用于在一般工作环境中工作的信息技木设备。

本规范规定更对射频(RF)辐射吸收体(微波吸收材料)的要求，质量保证，交货准备。微波吸收材料在以下简称为RAＭ。本规范适用于电子行业制造和使用的微波吸收材料。

本指导性技木文件规定了抑制电源传导干扰和辐射干扰的方法。本指导性技木文件适用于电源的电磁兼容性设计，旨在降低电源的传导和辐射干扰。

本标准适用于器件的研制、生产和采购。 

本标准适用适用于器件的研制、生产和采购。 

本规范适用于器件的研制、生产和采购。

本规范适用于器件的研制、生产和采购。

本规范适用于器件的研制、生产和采购。

本规范规定了半导体集成电路JT54LS283型LS-TTL4位二进制超前进位全加器（以下简称器件)的详细要求。

本规范规定了半导体集成电路Jμ8086型微处理器（以下简称器件）的详细要求。

本规范规定了探测剂量率为0.02~0.12cGy/h的Y射线及100~1800脱变数/分·厘米的β射线计数管（简称计数管）的详细要求。

本规范规定了SF—1213型硫化锑视象管的详细要求。

本规范规定了3DK12B~F型功率开关晶体管的详细要求。每种器件均按GJB33《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。

本规范规定了3DK36B~H型功率开关晶体管的详细要求。每种器件均按GJB33《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。

本规范规定了3DK37B~H型功率开关晶体管的详细要求。每秒器件均按GJB33《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。