本文件规定了用于高电子迁移率晶体管（HEMT）功率器件的硅衬底氮化镓外延片（以下简称“氮化镓外延片”）的分类、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件和订货单内容。
本文件适用于在硅衬底上生长的用于功率电子领域高电子迁移率晶体管的氮化镓外延片。
用于HEMT功率器件的硅衬底氮化镓外延片铜精矿化学分析方法 第11部分：汞含…锡精矿化学分析方法 第2部分：锡含量…耐蚀合金复合管道环焊缝焊接工艺评定铜精矿化学分析方法 第11部分：汞含…金属材料 梁弯曲微型试样 蠕变试验方法轧钢连续加热炉和热处理炉热平衡测试…预应力热镀锌钢绞线
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