本标准代替ＧＢ／Ｔ１７４７３—１９９８ 《厚膜微电子技术用贵金属浆料测试方法》（所有部分），本标准分
为７个部分,本部分为ＧＢ／Ｔ１７４７３—２００８的第６部分。 本部分规定了微电子技术用贵金属浆料分辨率的测定方法。
本部分适用于微电子技术用贵金属浆料的分辨率测定。 本部分代替ＧＢ／Ｔ１７４７３．６—１９９８ 《厚膜微电子技术用贵金属浆料测试方法　分辨率测定》。
本部分与ＧＢ／Ｔ１７４７３．６—１９９８相比，主要有如下变动：
———将原标准名称修改为微电子技术用贵金属浆料测试方法　分辨率测定；
———增加了固化型贵金属浆料分辨率测定的内容；
———原“光刻膜丝网网径２０２５μｍ 不锈钢丝网”改为“光刻膜丝网，丝网孔径不大于５４μｍ”；
———增加６．３将印有固化型的试样按其规定的工艺要求进行静置、烘干、固化，固化后试样膜厚控制在１μｍ～１５μｍ；
———分辨率规格分级重新定义为０．１ｍｍ、０．２ｍｍ、０．３ｍｍ、０．４ｍｍ、０．５ｍｍ 五个级别。