本标准是对ＧＢ／Ｔ１７４７３—１９９８《厚膜微电子技术用贵金属浆料测试方法》（所有部分）的整合修
订，分为７个部分,本部分为ＧＢ／Ｔ１７４７３—２００８的第４部分。本标准规定了微电子技术用贵金属浆料中附着力的测定方法。本部分适用于微电子技术用贵金属浆料附着力的测定。本部分代替ＧＢ／Ｔ１７４７３．４—１９９８《厚膜微电子技术用贵金属浆料测试方法　附着力测定》。
本部分与ＧＢ／Ｔ１７４７３．４—１９９８相比，主要有如下变动：
———将原标准名称修改为：微电子技术用贵金属浆料测试方法　附着力测定；
———将原标准中去除“非贵金属电子浆料附着力测定也可参照本标准执行”内容；
———增加了ＳｎＡｇ３．０Ｃｕ０．５焊料用于无铅导体焊接；
———用隧道烧结炉取代原标准中的带式炉；
———增加了无铅焊料的温度控制。