本标准规定了微电子技术用贵金属浆料中方阻的测定方法。本部分适用于微电子技术用贵金属浆料方阻的测定。 本标准是对ＧＢ／Ｔ１７４７３—１９９８《厚膜微电子技术用贵金属浆料测试方法》（所有部分）的整合修订，分为７个部分.本部分为ＧＢ／Ｔ１７４７３—２００８的第３部分。
本部分代替ＧＢ／Ｔ１７４７３．３—１９９８《厚膜微电子技术用贵金属浆料测试方法　方阻测定》。
本部分与ＧＢ／Ｔ１７４７３．３—１９９８相比，主要有如下变动：
———将原标准名称修改为微电子技术用贵金属浆料测试方法　方阻测定；
———增加低温固化型浆料方阻的测定方法；
———原标准的原理中，“将浆料用丝网印刷在陶瓷基片，经过烧结后，膜层在一定温度及其厚度、宽度不变的情况下……”修改为：“将浆料用丝网印刷在陶瓷基片或有机树脂基片上，经过烧结或固化后，膜层在一定温度及厚度、宽度不变的情况下”；
———测厚仪修改为：光切显微测厚仪用于烧结型浆料：范围为０ｍｍ～５ ｍｍ，精度为０．００１ ｍｍ。千分尺用于固化型浆料：范围为０ｍｍ～５ｍｍ，精度为０．００１ｍｍ。