安全管理网

　安全新闻　安全法规　安全管理　安全技术　事故案例　操作规程　安全标准
　安全教育　环境保护　应急预案　安全评价　工伤保险　职业卫生　文化|健康
　管理体系　文档|论文　安全常识　工 程 师　安全文艺　培训课件　管理资料
　煤矿　化工　建筑
　机械　电力　冶金
　消防　交通　特种
　论坛　活动　视频
　问答　投稿　MSDS
　签到　超市　招聘
动态
法规
管理
技术
案例
超市
标准
课件
签到
教育
规程
预案
评价
工伤
职业卫生
环保
健康
体系
文档
论文
常识
工程师
文艺
视频
   
现行
打印本文内容
导航：安全管理网>> 安全标准>> 行业标准>> 冶金>>正文

化合物半导体抛光晶片亚表面损伤的反射差分谱测试方法

标 准 号： GB/T 26070-2010
替代情况：
发布单位： 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会
起草单位： 中国科学院半导体研究所
发布日期： 2011-01-10
实施日期： 2011-10-01
点 击 数：
更新日期： 2025年02月25日
内容摘要

本标准规定了Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体单晶抛光片亚表面损伤的测试方法。
本标准适用于GaAs、InP(GaP、GaSb可参照进行)等化合物半导体单晶抛光片亚表面损伤的测量。

上一篇： 太阳能电池用锗单晶
如需帮助，请联系我们。联系电话400-6018-655。
  • Tag:安全标准.化合物.半导体相关内容
  • 太阳能电池用锗单晶
  • 锗单晶电阻率直流四探针测量方法
  • 信息技术 信息处理用蒙古文词语标记
  • 信息技术 九针点阵式打印机芯通用规范
  • 信息技术 中继组播控制协议（RMCP） 第1部分：框架
    • 网友评论 more
    冶金最新内容

  • 02-25化合物半导体抛光晶片亚表面损伤的反…
  • 02-25太阳能电池用锗单晶
  • 02-25锗单晶电阻率直流四探针测量方法
  • 02-14硅单晶抛光试验片规范
  • 02-14300mm 硅单晶
  • 02-14硅片平坦表面的表面粗糙度测量方法
  • 02-14300mm 硅单晶抛光片
  • 02-14300mm 硅单晶切割片和磨削片
    • 冶金热点内容

  • 12646热门炼钢安全规程【作废】
  • 9716热门炼铁安全规程【作废】
  • 9457热门轧钢安全规程【作废】
  • 3145热门炼铁厂卫生防护距离标准【作废】
  • 2831热门钢铁及合金中碳量的测定【作废】
  • 2765热门铜精矿【作废】
  • 2719热门铀矿冶设施退役环境管理技术规定
  • 1978热门钢铁及合金中硫量的测定
    • 创想安科网站简介会员服务广告服务业务合作提交需求会员中心在线投稿版权声明友情链接联系我们