本标准规定了用电容位移传感法测定硅片表面局部平整度的方法。本标准适用于无接触、非破坏性地测量干燥、洁净的半导体硅片表面的局部平整度。适用于直径100mm及以上、厚度250μm及以上腐蚀、抛光及外延硅片。
灯用稀土紫外发射荧光粉试验方法
LED用稀土硅酸盐荧光粉试验方法
铁矿球团生产实时优化系统技术要求
RH 精炼炉用碱性喷补料
高炉无料钟炉顶装料设备
石墨烯相关二维材料灰分含量的测定燃…
冶金用钢渣促进剂
输送带用钢丝绳粘合强度和覆胶率测试…
炼钢安全规程【作废】
轧钢安全规程【作废】
炼铁安全规程【作废】
炼铁厂卫生防护距离标准【作废】
钢铁及合金中碳量的测定【作废】
铀矿冶设施退役环境管理技术规定
铜精矿【作废】
钢铁及合金中硫量的测定