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高分辩率X射线衍射测量GaAs衬底生长的AlGaAs中Al成分的试验方法

标 准 号: GB/T 24576-2009
替代情况:
发布单位: 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会
起草单位: 信息产业部专用材料质量监督检验中心、中国电子科技集团公司第四十六研究所
发布日期: 2009-10-30
实施日期: 2010-06-01
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更新日期: 2025年02月26日
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内容摘要

本标准规定了用高分辨X 射线衍射测量GaAs衬底上AlGaAs外延层中Al含量的试验方法。
本方法适用于在未掺杂GaAs衬底<001>方向上生长的AlGaAs外延层中Al含量的测定,使用
本方法测量Al元素含量时,AlGaAs外延层厚度应大于300nm。

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