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硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法

标 准 号: GB/T 14141-2009
替代情况: 替代 GB/T 14141-1993
发布单位: 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会
起草单位: 宁波立立电子股份有限公司、南京国盛电子有限公司、信息产业部专用材料质量监督检验中心
发布日期: 2009-10-30
实施日期: 2010-06-01
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更新日期: 2025年03月12日
内容摘要

本标准规定了用直排四探针测量硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的方法。
本标准适用于测量直径大于15.9mm 的由外延、扩散、离子注入到硅片表面上或表面下形成的薄层的平均薄层电阻。硅片基体导电类型与被测薄层相反。适用于测量厚度不小于0.2μm 的薄层,方块电阻的测量范围为10Ω~5000Ω。该方法也可适用于更高或更低阻值方块电阻的测量,但其测量精确度尚未评估。 

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